[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

摘要

本发明用于适当除去在对被蚀刻膜进行蚀刻时生成的反应生成物。本发明的装置用于处理由于对被处理基体所含有的被蚀刻层进行蚀刻而沉积的反应生成物。该装置包括处理容器、隔板、等离子体源、载置台、第1处理气体供给部及第2处理气体供给部。处理容器划分出空间。隔板配置于处理容器内，将空间分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，用于抑制离子及真空紫外光的透过。等离子体源用于在等离子体生成空间生成等离子体。载置台配置于基板处理空间，用于载置被处理基体。第1处理气体供给部用于向等离子体生成空间供给第1处理气体，该第1处理气体由于等离子体而离解，生成自由基。第2处理气体供给部用于向基板处理空间供给第2处理气体，该第2处理气体不暴露于等离子体地与反应生成物发生反应。

主权项

一种基板处理装置，其用于处理由于对被处理基体所含有的被蚀刻层进行蚀刻而沉积的反应生成物，该基板处理装置包括：处理容器，其划分出空间；隔板，其配置于所述处理容器内，将所述空间分隔为等离子体生成空间及基板处理空间，用于抑制离子及真空紫外光的透过；等离子体源，其用于在所述等离子体生成空间生成等离子体；载置台，其配置于所述基板处理空间，用于载置所述被处理基体；第1处理气体供给部，其用于向所述等离子体生成空间供给第1处理气体，该第1处理气体由于所述等离子体而离解，生成自由基；第2处理气体供给部，其用于向所述基板处理空间供给第2处理气体，该第2处理气体不暴露于所述等离子体地与所述反应生成物发生反应，其中，为了通过所述自由基和所述第2处理气体之间的相互作用来除去所述反应生成物，所述第1处理气体供给部在所述第2处理气体供给部向所述基板处理空间供给所述第2处理气体之前、或者与所述第2处理气体供给部向所述基板处理空间供给所述第2处理气体同时地，向所述等离子体生成空间供给所述第1处理气体以从所述等离子体生成空间向所述基板处理空间供给所述自由基。