[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201380023068.5 | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN104272470B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 李昊旻 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/0465 | 分类号: | H01L31/0465;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,顾晋伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据本发明的一种太阳能电池,其包括支承基板;在支承基板上的背电极层;在背电极层上的光吸收层;在光吸收层上的缓冲层;在缓冲层上的前电极层;穿过缓冲层并将背电极层电连接到前电极层的连接件;以及在连接件的侧表面之一上的侧绝缘部,其中,所述侧绝缘部直接接触上述缓冲层、背电极层和光吸收层的一部分。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其包括:支承基板;在所述支承基板上的背电极层;在所述背电极层上的光吸收层;在所述光吸收层上的缓冲层;穿过所述缓冲层、所述光吸收层和所述背电极层并露出所述支承基板的第一通孔;在所述缓冲层上的前电极层;穿过所述缓冲层并将所述背电极层电连接到所述前电极层的连接件;以及穿过所述前电极层、所述缓冲层和所述光吸收层并露出所述背电极层的第二通孔;在所述连接件的侧表面之一上的侧绝缘部,其中,所述侧绝缘部直接接触通过所述通孔露出的所述背电极层、所述光吸收层,和所述缓冲层的侧表面,并且所述侧绝缘部在所述连接件的侧表面与所述背电极层、所述光吸收层和所述缓冲层的侧表面之间;其中所述前电极层和所述连接件彼此一体地形成;以及其中所述侧绝缘部的电阻大于所述连接件的电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的