[发明专利]具有设置在至少两个闪烁体阵列层之间的至少一个薄光传感器阵列层的多层水平计算机断层摄影(CT)探测器阵列有效
| 申请号： | 201380024153.3 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN104285162B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | S·莱韦内;N·J·A·范费恩;A·阿尔特曼;I·乌曼;R·戈申 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/20 | 分类号： | G01T1/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 刘瑜,王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种成像系统(100)，包括辐射敏感探测器阵列(110)。所述探测器阵列包括至少两个闪烁体阵列层(116)。所述探测器阵列还包括至少两个对应的光传感器阵列层(114)。所述至少两个光传感器阵列层中的至少一个光传感器阵列层在入射辐射的方向上位于所述至少两个闪烁体阵列层之间。所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层具有小于三十微米的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 设置 至少 两个 闪烁 阵列 之间 一个 传感器 多层 水平 计算机 断层 摄影 ct 探测器 | ||
【主权项】：
一种成像系统(100)，包括：辐射敏感探测器阵列(110)，其包括：至少两个闪烁体阵列层(116)；以及至少两个对应的光传感器阵列层(114)，其中，所述至少两个光传感器阵列层中的至少一个光传感器阵列层在入射辐射的方向上位于所述至少两个闪烁体阵列层之间，其中，在所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层中，直接转换产生的电流小于在所述至少一个光传感器阵列层中由来自于闪烁体的光产生的电流的预定阈值，其中，所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层包括硅或砷化镓中的至少一种，其中，所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层包括安装在薄层上的薄的绝缘体上半导体光电二极管阵列，并且其中，所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层具有小于三十微米的厚度。
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