[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法。使从半导体激光振荡器射出且具有第1脉冲宽度的第1激光脉冲入射到半导体基板的第2面，其中，在半导体基板的第1面形成有半导体元件，并且在第2面侧的表层部添加有杂质。使具有第1脉冲宽度的1/10以下的第2脉冲宽度的第2激光脉冲重叠入射到第1激光脉冲的入射区域。设定第1激光脉冲的下降时刻与第1激光脉冲的上升时刻在时间轴上的相对位置关系，以使通过第1激光脉冲及第2激光脉冲的入射而上升的第1面的温度不超过预先确定的容许上限值。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征为，具有：使从半导体激光振荡器射出且具有10μs～30μs的范围内的脉冲宽度的第1激光脉冲入射到半导体基板的第2面的工序，其中，所述半导体基板的第1面形成有半导体元件，所述半导体基板的所述第2面侧的表层部非晶化到第1深度，并且在所述半导体基板的第2面侧的表层部的比第1深度浅的区域以相对高浓度注入有第1杂质，在第2面侧的表层部的比所述第1深度深的区域以相对低浓度注入有第2杂质；及使具有所述第1激光脉冲的脉冲宽度的1/10以下的第2脉冲宽度的第2激光脉冲重叠入射到所述第1激光脉冲的入射区域的工序，设定所述第1激光脉冲的下降时刻与所述第2激光脉冲的上升时刻在时间轴上的相对位置，以使通过所述第1激光脉冲及所述第2激光脉冲的入射而上升的所述第1面的温度不超过预先确定的容许上限值，所述第1激光脉冲以能够使所述第2杂质活性化的条件入射到所述第2面。