[发明专利]存储设备和存储器件有效
申请号: | 201380024338.4 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN104285291B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/8246 | 分类号: | H01L21/8246;G11C11/15;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | [问题]为了实现能够利用较少电流在高速下操作同时抑制读出信号的振幅降低的存储设备。[解决方案]存储设备包括存储元件、配线部和存储控制部。存储元件包括层状结构并被配置为使得电流在层状结构的堆叠方式上可流经其,所述层状结构至少包括其中磁化方向对应于信息改变的存储层、具有固定磁化方向的磁化固定层以及由非磁性材料制成的布置在存储层和磁化固定层之间的中间层。配线部供应电流,电流在堆叠方向上流向存储元件。存储控制部使预定电平的待机电流通过配线部流向存储元件,从而存储层的磁化方向相对于垂直于膜表面的方向倾斜,并随后,在该状态下,使处于比待机电流的电平更大的电平的记录电流通过配线部流动以改变存储层的磁化方向并使存储层存储信息。 | ||
搜索关键词: | 存储 设备 器件 | ||
【主权项】:
一种存储设备,包括:存储器件,具有:层状结构,至少包括磁化方向对应于信息而改变的存储层、所述磁化方向被固定的磁化固定层以及由非磁体制成的布置在所述存储层与所述磁化固定层之间的中间层;电流能够在所述层状结构的层压方向上流动;配线,用于为所述存储器件供应流向所述层压方向的电流;以及存储控制单元,控制经由所述配线的对所述存储器件的电流供应,从而使记录电流流到待记录的所述存储器件的周期和待机电流流到下一个待记录的所述存储器件的周期重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造