[发明专利]异质触点太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明涉及一种异质触点太阳能电池，在其正面中设置有太阳光线的入射部，该异质触点太阳能电池具有由第一传导类型的晶体半导体材料组成的吸收体；设置在该异质触点太阳能电池正面的、比该吸收体高的、掺杂的、第一传导类型的非晶半导体层；在该第一传导类型的掺杂的非晶半导体层的正面设置的、导电的、透明的正面传导层；位于该异质触点太阳能电池正面上、具有彼此间隔开的多个触点结构的正面接触部；在该异质触点太阳能电池背面设置的、与该第一传导类型相反的第二传导类型的发射体；以及设置在该异质触点太阳能电池的背面上的背面接触部。本发明还涉及一种用于制造此类异质触点太阳能电池的方法。本发明目的在于，提供一种异质触点太阳能电池概念以及用于制造此类太阳能电池的技术，通过它们可以消除由发射体导致的、在该异质触点太阳能电池中的吸收损失并且进一步采用标准技术来制造异质触点太阳能电池。

主权项

一种异质触点太阳能电池(10)，在该异质触点太阳能电池的正面(11)中设置有太阳光线(13)的入射部，所述异质触点太阳能电池具有由第一传导类型的晶体半导体材料制成的吸收体(1)；设置在所述异质触点太阳能电池(10)正面、比所述吸收体(1)高地掺杂的第一传导类型的非晶半导体层(3)；在所述第一传导类型的掺杂的非晶半导体层(3)的正面设置的透明的正面覆盖层；位于所述异质触点太阳能电池(10)的所述正面(11)上、具有彼此间隔开的多个触点结构(5)的正面接触部；在所述异质触点太阳能电池(10)背面设置的、与所述第一传导类型相反的第二传导类型的发射体(7)；以及设置在所述异质触点太阳能电池(10)的背面上的背面接触部(12)，其中所述正面覆盖层是导电、透明的正面传导层(4)，该正面传导层设置在所述正面的、掺杂的非晶态半导体层(3)与所述正面接触部之间，其特征在于，所述背面接触部具有在所述异质触点太阳能电池(10)的背面(12)的表面上延伸的背面接触层(9)；并且所述正面传导层(4)具有在7×10‑4至50×10‑4Ωcm的范围内的电阻率，所述正面传导层(4)被设置在所述吸收体(1)上，并且不与所述吸收体(1)接触。