[发明专利]导电膜形成方法与烧结助剂有效
| 申请号： | 201380025632.7 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104303242B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 川户祐一;宫本一诚;前田祐介;工藤富雄 | 申请（专利权）人： | 日本石原化学株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H05K3/12 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吴小瑛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在使用光烧结的导电膜形成方法中，容易地形成具有低电阻的导电膜。公开的是其中使用光烧结形成导电膜的导电膜形成方法，其包括以下步骤：在基板1上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜2，将该液体膜2干燥以形成铜颗粒层3，对该铜颗粒层3施以光烧结以形成导电膜4，将烧结助剂5粘接到该导电膜4上，并对粘接有烧结助剂5的导电膜4进一步施以光烧结。所述烧结助剂5是从金属铜中除去氧化铜的化合物。由此，该烧结助剂5除去了导电膜4中铜颗粒21的表面氧化物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 形成 方法 烧结 助剂 | ||
【主权项】：
一种导电膜形成方法，其中使用光烧结形成导电膜，包括以下步骤：在基板上形成由铜颗粒分散体制成的液体膜，将所述液体膜干燥以形成铜颗粒层，对所述铜颗粒层施以光烧结以形成导电膜，将烧结助剂粘接到所述导电膜，和对粘接有烧结助剂的导电膜进一步施以光烧结，其中所述烧结助剂是从金属铜中除去氧化铜的化合物。
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