[发明专利]层叠体有效
| 申请号： | 201380026125.5 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104379340A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 福本晴彦;小田川健二;臼井英夫;高桥英一;高木斗志彦;高野雅子;中村修;进藤清孝 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社;三井化学东赛璐株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B32B27/00;B32B37/00;H01L31/048 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及的层叠体包括基材(A)、在基材(A)的至少一个面上依次层叠的含硅层(B)、和由具有聚合性基团的有机酸金属盐得到的聚合物层(C)，含硅层(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高浓度区域，上述氮高浓度区域是通过在氧浓度为5％以下及/或室温23℃下的相对湿度为30％以下的条件下，对在基材(A)上形成的聚硅氮烷膜进行能量射线照射，将该膜的至少一部分改性而形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 | ||
【主权项】：
一种层叠体，其包括基材(A)、在所述基材(A)的至少一个面上依次层叠的含硅层(B)、和由具有聚合性基团的有机酸金属盐得到的聚合物层(C)，所述含硅层(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高浓度区域，所述氮高浓度区域是通过在氧浓度为5％以下及/或室温23℃下的相对湿度为30％以下的条件下，对在所述基材(A)上形成的聚硅氮烷膜进行能量射线照射，将该膜的至少一部分改性而形成的。
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