[发明专利]用于检测埋藏缺陷的方法及设备无效
| 申请号： | 201380026325.0 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104321856A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 红·萧;江锡满 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一个实施例涉及一种在目标微观金属特征中检测埋藏缺陷的方法。成像设备经配置以用着陆能量撞击带电粒子使得所述带电粒子平均到达所述目标微观金属特征内的一深度。此外，所述成像设备经配置以滤出二次电子且检测背向散射电子。接着，操作所述成像设备以收集归因于所述带电粒子的撞击而从所述目标微观金属特征发射的所述背向散射电子。比较所述目标微观金属特征的背向散射电子BSE图像与参考微观金属特征的所述BSE图像，以检测所述埋藏缺陷并对所述埋藏缺陷进行分类。本发明还揭示其它实施例、方面及特征。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 埋藏 缺陷 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种在目标微观金属特征中检测埋藏缺陷的方法，所述方法包括：配置成像设备以用着陆能量撞击带电粒子使得所述带电粒子平均到达所述目标微观金属特征内的一深度；配置所述成像设备以滤出二次电子且检测背向散射电子；操作所述成像设备以收集归因于所述带电粒子的撞击而从所述目标微观金属特征发射的所述背向散射电子；及比较所述目标微观金属特征的背向散射电子BSE图像与参考微观金属特征的所述BSE图像，以检测所述埋藏缺陷并对所述埋藏缺陷进行分类。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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