[发明专利]包括在包含特定非离子表面活性剂的化学机械抛光组合物存在下进行III-V族材料的化学机械抛光的制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201380026727.0 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104364331A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | Y·李;B·M·诺勒;C·吉洛特;D·弗朗茨 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王丹丹;刘金辉 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体装置的方法，其包括在化学机械抛光组合物(Q1)存在下对含至少一种III-V族材料的基材或层进行化学机械抛光，该组合物(Q1)包含：(A)无机颗粒、有机颗粒、或其混合物或复合物，(B)至少一种两性非离子表面活性剂，其具有(b1)至少一个疏水性基团；及(b2)至少一个选自聚氧化烯基团的亲水性基团，所述聚氧化烯基团包含(b22)除氧化乙烯单体单元以外的氧化烯单体单元；及(M)水性介质。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 包含 特定 离子 表面活性剂 化学 机械抛光 组合 在下 进行 iii 材料 制造 半导体 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，其包括在化学机械抛光组合物(Q1)存在下对含有至少一种III‑V族材料的基材或层进行化学机械抛光，所述组合物(Q1)包含：(A)无机颗粒、有机颗粒、或其混合物或复合物，(B)至少一种两性非离子表面活性剂，其具有(b1)至少一个疏水性基团；及(b2)至少一个选自聚氧化烯基团的亲水性基团，所述聚氧化烯基团包含：(b22)除氧化乙烯单体单元以外的氧化烯单体单元；及(M)水性介质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巴斯夫欧洲公司，未经巴斯夫欧洲公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380026727.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发酵虫草菌粉提纯工艺
- 下一篇：含改性树木灰建筑砂浆
