[发明专利]用于处理单分子的设备的制造方法有效
申请号: | 201380026733.6 | 申请日: | 2013-03-14 |
公开(公告)号: | CN104350420B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | P·J·范德扎格;E·佩特斯;R·科莱;F·C·M·J·M·范德尔夫特 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;B82Y15/00;G01N33/487 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蔡洪贵 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制造用于处理单分子的设备的方法。根据此方法,将自组装抗蚀剂(155)沉积在处理层(110、PL)上,并允许其自组装成具有两相(155a、155b)的图案。然后选择性地移除这两个相中的一个(155a),并通过剩余抗蚀剂(155b)的掩膜在处理层(110、PL)中产生至少一个孔隙。因此,可容易地生产小尺寸的孔隙,该孔隙允许处理单分子(M),例如在DNA测序中处理。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 分子 设备 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造用于处理单分子(M)的设备(100、200、300、400)的方法,所述方法包括下述步骤:a)提供“处理层”(PL、PL1、PL2);b)将自组装抗蚀剂(155、355、356、357、455、456)沉积在所述处理层上,并使其自组装成两个相(155a、155b、355a、355b、356a、356b、357a、357b、455a、455b、456a、456b)的图案;c)选择性地移除所述自组装抗蚀剂的一个相(155a、355a、356a、357a、455a、456a);d)通过剩余的自组装抗蚀剂(155b、355b、356b、357b、455b、456b)的掩膜在所述处理层(PL、PL1、PL2)中产生至少一个孔隙(A、Al、A2、A3);其中,步骤b)、c)和d)分别对第一处理层(PL1)和第二处理层(PL2)执行了两次。
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