[发明专利]用于生产用于超导层的基板的方法有效
申请号: | 201380026929.5 | 申请日: | 2013-05-17 |
公开(公告)号: | CN104396038B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 安德斯·克里斯蒂安·武尔夫 | 申请(专利权)人: | 丹麦技术大学 |
主分类号: | H01L39/14 | 分类号: | H01L39/14;H01L39/24 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 杨生平,钟锦舜 |
地址: | 丹麦*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种用于生产适合于支撑细长超导元件的基板(600)的方法,其中,使用变形处理,以便于在分层固体元件中形成分裂条带,并且其中蚀刻用于在所述分层固体元件的上层(316)和下层(303)之间形成底切容积(330,332)。由于底切容积(330,332)可以用于分离材料层,所以这种相对简单步骤能够提供一种基板,该基板可以转化成具有减少AC损耗的超导结构例如超导带材。在又一个实施例中,在上层(316)和/或下层(303)的顶部放置超导层,以提供具有减少AC损耗的超导结构。 | ||
搜索关键词: | 用于 生产 超导 方法 | ||
【主权项】:
一种用于生产适合于支撑细长超导元件的基板的方法,所述方法包括:‑提供分层固体元件,所述分层固体元件包括:○下层(303),以及○上层(316),其中,所述上层与所述下层相邻放置并且至少部分覆盖所述下层,‑在所述上层(316)中形成多个分裂条带,由此形成所述下层(303)的多个暴露区域(323),其中每个暴露区域沿着分裂条带形成,其中,所述在所述上层(316)中形成多个分裂条带,由此形成所述下层(303)的多个暴露区域(323),其中每个暴露区域沿着分裂条带形成的步骤包括变形处理,其中,所述在变形处理中在所述上层(316)中形成多个分裂条带的步骤包括:将上层的一部分按压到下层(303)中,其特征在于,所述方法还包括:‑蚀刻所述暴露区域(323),以在所述上层(316)和所述下层(303)之间形成底切容积(330,332),其中,每个底切容积沿着分裂条带形成,其中,蚀刻剂被使用以为了下层(303)的蚀刻速率高于上层(316)的蚀刻速率,‑其中,所述细长超导元件的长度为1m–30km。
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