[发明专利]用于快速热处理的设备及方法有效
申请号: | 201380027214.1 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN104428879B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特;托马斯·F·索莱斯;亚历山大·M·鲁边奇克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司;劳伦斯-利弗莫尔国家安全有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式提供用于执行快速热处理的设备及方法。本发明的一个实施方式提供一种用于处理基板的设备。所述设备包括设置于腔室主体外且被配置以向处理容积提供热能的加热源。基板支撑件界定基板支撑平面,且所述基板支撑件被配置以在基板支撑平面内支撑基板。加热源包括具有内壁的框架构件,所述内壁围绕足够大的区域以包围基板的表面区域;及安装于框架构件的内壁上的多个激光二极管块(tile)。多个激光二极管块中的每个激光二极管块被导向处理容积中的对应区域。 | ||
搜索关键词: | 用于 快速 热处理 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于处理基板的设备,所述设备包含:腔室主体,所述腔室主体界定处理容积;基板支撑件,所述基板支撑件设置于所述处理容积内,其中所述基板支撑件界定基板支撑平面,且所述基板支撑件被配置以在所述基板支撑平面内支撑所述基板;以及加热源,所述加热源设置于所述腔室主体外且被配置以向所述处理容积提供热能,其中所述加热源包含:框架构件,所述框架构件具有内壁,所述内壁围绕足够大的区域以包围所述基板的表面区域,其中所述内壁实质上垂直于所述基板支撑平面;以及多个激光二极管块,所述多个激光二极管块安装于所述框架构件的所述内壁上,其中所述多个激光二极管块中的每个激光二极管块被导向所述处理容积中的对应区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造