[发明专利]用于MOFET的掩膜层级减少

摘要

用减少的掩膜操作制造TFT和IPS的方法，包括衬底、栅极、在该栅极上的且包围衬底表面的栅极介电层、和在该栅极介电层上的半导体金属氧化物。沟道保护层覆盖了栅极以在半导体金属氧化物中限定沟道区域。在沟道保护层和暴露的半导体金属氧化物的部分上图案化S/D金属层以限定IPS区域。在S/D端子上和在IPS区域的相对侧图案化有机介电材料。蚀刻S/D金属以暴露出限定第一IPS电极的半导体金属氧化物。钝化层覆盖了第一电极并在该钝化层上图案化透明导电材料层以限定覆盖第一电极的第二IPS电极。

主权项

一种用减少的掩膜操作制造薄膜晶体管和平面转换LCD电极的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有表面的衬底；在所述衬底的所述表面上图案化栅极金属以限定薄膜晶体管栅极；在所述栅极上方并包围衬底表面形成栅极介电层；在所述栅极介电层上沉积半导体金属氧化物层；在覆盖所述栅极的半导体金属氧化物上图案化沟道保护层，所述沟道保护层被图案化成在所述栅极上方的半导体金属氧化物中限定沟道区域并暴露出保留的半导体金属氧化物；在所述沟道保护层和暴露的半导体金属氧化物的用于限定平面转换区域的部分上沉积至少源极/漏极金属层；蚀刻穿过所述源极/漏极金属层到达所述栅极上方的所述沟道保护层以将所述源极/漏极金属层分隔成薄膜晶体管源极和漏极端子，并蚀刻穿过未被所述源极/漏极金属层覆盖的区域中的所述半导体金属氧化物层；在所述薄膜晶体管源极和漏极端子上和在用于所述平面转换的第一电极的围绕区域处图案化有机介电材料；使用图案化的有机介电材料，蚀刻穿过所述平面转换区域中的所述源极/漏极金属层以暴露出半导体金属氧化物并限定用于所述平面转换的所述第一电极；在图案化的有机介电材料和用于所述平面转换的所述第一电极上沉积钝化层；以及在所述钝化层上图案化透明导电材料层，用于限定覆盖所述第一电极的用于所述平面转换的第二电极。