[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示装置和电子设备有效
| 申请号： | 201380027886.2 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN104350600A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 菅野道博;河村隆宏 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有简单结构而在栅极负偏压时可以减小漏电流的薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及显示装置和电子设备。所述薄膜晶体管包括：栅极；包括对向所述栅极的通道区域的半导体膜；和绝缘膜，所述绝缘膜至少设置在接近所述半导体膜的侧壁的栅极侧上的端部的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其包括：基板；在所述基板上的栅极；对向所述栅极的半导体膜；在所述半导体膜中的通道形成区域；在所述基板上的一对源极区域和漏极区域；以及在所述半导体膜的侧面的至少一部分上的绝缘膜。
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