[发明专利]摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法

摘要

摄像装置(10)的制造方法包括：切断在第1主面(30SA)形成有受光部(31)和电极焊盘(32)的摄像芯片基板(30W)而制作多个摄像芯片(30)的工序；将摄像芯片(30)粘接于玻璃晶圆(20W)而制作接合晶圆(40W)的工序；利用密封构件(42)将多个摄像芯片(30)之间填充的工序；将接合晶圆(40W)从第2主面(30SB)侧加工而减薄厚度的工序；在摄像芯片(30)上形成贯穿通路(33S)的工序；形成覆盖摄像芯片(30)的第2主面(30SB)、密封构件(42)的表面以及贯穿通路(33S)的壁面的绝缘层(43)的工序；形成贯穿布线(33)的工序；在第2主面(30SB)上形成与贯穿布线(33)连接的外部连接电极(34)的工序；以及切断接合晶圆(40W)的工序。

主权项

一种摄像装置的制造方法，其特征在于，该摄像装置的制造方法包括：多个受光部形成于第1主面，切断在各个受光部的周围形成有电极焊盘的摄像芯片基板而制作多个摄像芯片的工序；借助透明的粘接层将摄像芯片的上述第1主面粘接于透明的支承基板而制作接合晶圆的工序；利用密封构件将粘接于上述接合晶圆的上述多个摄像芯片之间填充的工序；将上述接合晶圆从第2主面侧加工而减薄厚度的工序；在上述第2主面上形成蚀刻掩模的工序；使用上述蚀刻掩模在上述摄像芯片形成贯穿通路的工序；剥离上述蚀刻掩模的工序；形成覆盖上述摄像芯片的上述第2主面、上述密封构件的表面以及上述贯穿通路的壁面的绝缘层的工序；形成借助上述贯穿通路与上述电极焊盘连接的贯穿布线的工序；在上述第2主面上形成与上述贯穿布线连接的外部连接电极的工序；以及切断上述接合晶圆的工序。