[发明专利]真空处理装置、真空处理方法和存储介质

摘要

本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2)内部。利用盖板(43)遮蔽基板(S)，对靶(31a)进行溅射而在真空容器(2)内部成膜，由该膜吸附真空容器(2)内部的氧。之后，使盖板(43)从基板(S)上方移开，对靶(31b)进行溅射而在基板(S)上形成金属膜。从再次移动到基板(S)上方的盖板(43)供给所需量的氧，将金属膜氧化成金属氧化膜。之后，对靶(31a)进行溅射而吸附真空容器(2)内部的氧，之后将形成有金属氧化膜的基板(S)从真空容器(2)内部搬出。

主权项

一种真空处理装置，该真空处理装置用于、利用将等离子体产生用气体等离子体化而得到的等离子体中的离子溅射以面朝真空容器内的载置部上的基板的方式配置的靶而在基板上形成金属膜、并接着将该金属膜氧化，该真空处理装置的特征在于，该真空处理装置包括：第1靶，其由具有吸附氧的性质的物质构成；第2靶，其由金属构成；电源部，其用于对所述第1靶和所述第2靶施加电压；活动挡板，其用于防止在溅射所述第1靶和所述第2靶中的一个时来自该一个靶的粒子附着于另一个靶；遮蔽构件，其在遮蔽基板的遮蔽位置与从遮蔽基板的位置退避的退避位置之间移动自如，以防止来自所述第1靶的粒子附着于基板；氧供给部，其用于向所述载置部上的基板供给含氧气体；控制部，其用于执行如下步骤：为了使第1靶的粒子附着在所述真空容器内，而在将所述遮蔽构件设定在遮蔽位置的状态下向第1靶供给等离子体产生用电压，从而对第1靶进行溅射的步骤；接着，停止对第1靶供给电压，在将所述遮蔽构件设定在退避位置的状态下，为了在基板上形成金属膜，而对第2靶供给等离子体产生用电压，从而对第2靶进行溅射的步骤；接着，由所述氧供给部向所述基板供给含氧气体的步骤。