[发明专利]具有致冷剂容器的超导磁体设备有效
| 申请号： | 201380028887.9 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104335063A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | R.P.戈尔 | 申请（专利权）人： | 英国西门子公司 |
| 主分类号： | G01R33/3815 | 分类号： | G01R33/3815;H01F6/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 赵燕青 |
| 地址： | 英国萨里*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种超导磁体设备，包括：至少一个超导绕组(20)；外真空室(OVC)(10)，容纳至少一个超导绕组(20)；至少一个热辐射屏蔽件(12)，位于至少一个超导绕组(20)和OVC(10)之间；致冷剂容器(22)，定位在至少一个热辐射屏蔽件(12)内和OVC(10)内，至少一个超导绕组(20)定位在致冷剂容器(22)外部；至少一个冷冻器(26)，可操作成将致冷剂容器(22)冷却到液态致冷剂温度并且布置成将至少一个热辐射屏蔽件(12)中的每个冷却到介于液态致冷剂温度和OVC温度之间的中间温度。致冷剂容器(22)外表面的相当一部分在液态致冷剂温度下具有比至少一个超导绕组的平均表面发射率大至少0.1的热发射率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 致冷 容器 超导 磁体 设备 | ||
【主权项】：
一种超导磁体设备，包括：‑至少一个超导绕组(20)；‑外真空室(OVC)(10)，容纳所述至少一个超导绕组(20)；‑至少一个热辐射屏蔽件(12)，位于所述至少一个超导绕组(20)和所述OVC(10)之间；‑致冷剂容器(22)，定位在所述至少一个热辐射屏蔽件(12)内，并且定位在所述OVC(10)内，所述至少一个超导绕组(20)定位在所述致冷剂容器(22)的外部；‑至少一个冷冻器(26)，可操作成将所述致冷剂容器(22)冷却到液态致冷剂温度，并且布置成将所述至少一个热辐射屏蔽件(12)中的每个冷却到介于所述液态致冷剂温度和所述OVC的温度之间的中间温度，其特征在于，所述致冷剂容器(22)的外表面的相当一部分在所述液态致冷剂温度下具有比所述至少一个超导绕组的平均表面发射率要大至少0.1的热发射率。
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