[发明专利]基板加工设备和基板加工方法在审
申请号: | 201380028986.7 | 申请日: | 2013-05-28 |
公开(公告)号: | CN104380434A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 郭在燦 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种用于加工基板的设备和方法,其有利于防止基板被损害,其中,所述设备包括:加工腔室;基板支撑器,用于支撑至少一个基板,其中,所述基板支撑器被设置在所述加工腔室的底部;与所述基板支撑器相对的腔室盖,所述腔室盖用于覆盖所述加工腔室的上侧;以及,在所述腔室盖中设置的气体分配部,其中,所述气体分配部向在所述基板支撑器上的源气分配区域分配源气,向与所述源气分配区域分开的反应气分配区域分配反应气,并且向在所述源气分配区域和所述反应气分配区域之间的空间分配吹扫气。 | ||
搜索关键词: | 加工 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板加工设备,包括:加工腔室;基板支撑器,用于支撑至少一个基板,其中,所述基板支撑器被设置在所述加工腔室的底部;与所述基板支撑器相对的腔室盖,所述腔室盖用于覆盖所述加工腔室的上侧;以及在所述腔室盖中设置的气体分配部,其中,所述气体分配部向所述基板支撑器上的源气分配区域分配源气,向与所述源气分配区域分开的反应气分配区域分配反应气,并且向在所述源气分配区域和所述反应气分配区域之间的空间分配吹扫气,其中,所述气体分配部包括:在所述腔室盖中设置的至少一个源气分配模块,用于向所述源气分配区域分配所述源气;在所述腔室盖中设置的至少一个反应气分配模块,用于向所述反应气分配区域分配所述反应气;以及在所述腔室盖中设置的吹扫气分配模块,用于向在所述源气分配区域和所述反应气分配区域之间的吹扫气分配区域分配所述吹扫气,其中,所述源气分配模块和所述反应气分配模块中的每一个的下表面均被设置在相对于所述基板支撑器的第一距离处,并且在所述吹扫气分配模块的下表面和所述基板支撑器之间的第二距离小于所述第一距离,其中,多个第二泵吸孔的下表面与所述吹扫气分配模块之间设置有阶梯部分,其中,所述吹扫气分配模块包括第一吹扫气分配部件和第二吹扫气分配部件,所述第一吹扫气分配部件用于向在所述源气分配区域和所述反应气分配区域之间的空间分配所述吹扫气,所述第二吹扫气分配部件用于向在所述加工腔室的内侧壁和所述基板支撑器的侧表面之间的空间分配所述吹扫气,其中,所述第二吹扫气分配部件包括多个第二吹扫气分配孔,所述多个第二吹扫气分配孔与在所述加工腔室的内侧壁和所述基板支撑器的侧表面之间的所述空间重叠,用于向所述基板支撑器的周边分配所述吹扫气,其中,所述加工腔室包括底表面,所述加工腔室的所述底表面与用于排放气体的排气管相连通,其中,所述多个第二吹扫气分配孔沿着所述腔室盖的边缘形成,其中,所述第二吹扫气分配部件通过所述多个第二吹扫气分配孔向下分配所述吹扫气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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