[发明专利]氮化镓到硅的直接晶片粘结有效
| 申请号： | 201380029045.5 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104471726B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | A·尤森科 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于结合GaN和硅基片的直接晶片粘结方法，其涉及在氨等离子体中预处理各晶片，从而将各接触表面变成亲氨性的。GaN基片和硅基片可各自包括单晶晶片。所得混合半导体结构可用于形成高质量低成本LED。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓到硅 直接 晶片 粘结 | ||
【主权项】：
一种用于形成混合半导体结构的方法，所述方法包括：提供待粘结的硅表面和待粘结的氮化物表面；将所述硅表面和氮化物表面暴露于含氨的等离子体，来分别形成氨处理的表面；结合所述氨处理的硅表面和氨处理的氮化物表面以形成中间粘结结构；和对所述中间粘结结构进行退火以形成具有在所述硅表面和氮化物表面之间的粘结界面的粘结的混合半导体结构；其中，所述方法还包括在将所述硅表面和氮化物表面暴露于含氨等离子体之后，使所述硅表面和氮化物表面暴露于分子氨。
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