[发明专利]具有在晶片水平形成的模制化合物中的金属柱的芯片级发光器件有效

专利信息
申请号: 201380029682.2 申请日: 2013-06-04
公开(公告)号: CN104350619B 公开(公告)日: 2017-08-04
发明(设计)人: J.雷;S.施亚夫菲诺;A.H.尼科;M.G.吴;G.巴辛;S.阿克拉姆 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L23/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 孙之刚,景军平
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 当管芯仍在其支撑晶片上时,在发光管芯上形成厚的金属柱。施加模制化合物以填充每个管芯上的柱之间的空间,并且在柱顶上形成接触垫。金属柱提供每个发光管芯的接触垫和电气接触件之间的电气接触。金属柱可以形成在每个管芯的上金属层上,并且该上金属层可以被图案化以提供到管芯内的各个元件的连接。
搜索关键词: 具有 晶片 水平 形成 化合物 中的 金属 芯片级 发光 器件
【主权项】:
一种制造发光器件的方法,所述方法包括:在衬底上形成发光结构,发光结构包括设置在N‑区和P‑区之间的有源区;形成到N‑区的接触件和到P‑区的接触件,形成耦合至到N‑区的接触件的第一金属段和耦合至到P‑区的接触件的第二金属段;形成多个金属柱,所述多个金属柱包括:耦合至第一金属段的至少一个第一金属柱,以及耦合至第二金属段的至少一个第二金属柱,以及不电气连接到发光结构的至少一个第三金属柱;形成占据所述多个金属柱之间的空间的填充物材料,以及形成多个金属垫,包括耦合至第一金属柱的第一金属垫和耦合至第二金属柱的第二金属垫,第一和第二金属垫被安置成经由第一和第二金属柱提供到N‑区和P‑区的外部连接。
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