[发明专利]光半导体装置的制造方法及光半导体装置在审
| 申请号： | 201380029860.1 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN104350620A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 东内智子;高根信明;山浦格;稻田麻希;横田弘 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘凤岭;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具备表面形成有镀银层的基板和键合在所述镀银层上的发光二极管的光半导体装置的制造方法，该制造方法具有：形成被覆所述镀银层的粘土膜的膜形成工序、和在所述膜形成工序后通过引线键合而将所述发光二极管和被所述粘土膜被覆的所述镀银层电连接的连接工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光半导体装置的制造方法，其中，所述光半导体装置具有在表面形成有镀银层的基板和键合在所述镀银层上的发光二极管，所述制造方法具有以下工序：膜形成工序，其形成被覆所述镀银层的粘土膜；以及连接工序，其在所述膜形成工序后，通过引线键合而将所述发光二极管和被所述粘土膜被覆的所述镀银层进行电连接。
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