[发明专利]发光器件、发光器件包装和光设备有效
申请号: | 201380030123.3 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN104350616B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 丁焕熙 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;G02F1/13357 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 陈海涛,穆德骏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据一个实施方式的一种发光器件,所述发光器件包含发光结构,所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层;在所述发光结构下的反射电极;和电极,所述电极设置在所述第一导电半导体层内并包含导电离子植入层。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 包装 设备 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包含:发光结构,所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层;在所述发光结构下的反射电极;电极,所述电极布置在所述第一导电半导体层内并包含导电离子植入层,所述电极能被入射光透射穿过;和与所述电极直接接触的垫部,其中所述电极包含设置在所述第一导电半导体层中的多个线和以使得所述线相互电连接的方式设置在所述第一导电半导体层中的连接线,其中所述垫部与所述第一导电半导体层直接接触,其中所述电极通过植入选自Ti、Al和Si离子中的至少一种材料而形成,其中所述垫部的宽度大于所述电极的宽度,其中所述电极的顶面具有光提取图案,其中所述垫部与所述光提取图案直接接触,其中电流阻挡层通过植入工艺设置在所述第二导电半导体层中。
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