[发明专利]排列式存储器单元有效
申请号: | 201380030235.9 | 申请日: | 2013-05-07 |
公开(公告)号: | CN104350598A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 斯科特·E·西里斯 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 各种实施例包括具有至少两个电阻改变存储器RCM单元的设备。在一个实施例中,设备包含耦合到所述RCM单元中的每一者的至少两个电触点。存储器单元材料安置于耦合到所述RCM中的每一者的所述电触点中的每一者的对之间。所述存储器单元材料能够在所述电触点之间形成导电路径,其中所述存储器单元材料的至少一部分经布置以交叉耦合电耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者的所述至少两个电触点的选定者之间的导电路径。本发明还描述额外设备及方法。 | ||
搜索关键词: | 排列 存储器 单元 | ||
【主权项】:
一种设备,其包括:至少两个电阻改变存储器RCM单元;至少两个电触点,其电耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者;及存储器单元材料,其安置于耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者的所述至少两个电触点的对之间,所述存储器单元材料能够在所述至少两个电触点之间形成导电路径,所述存储器单元材料的至少一部分经布置以交叉耦合电耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者的所述至少两个电触点的选定者之间的导电路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的