[发明专利]含银组合物及形成银成分的基材

摘要

本发明提供一种保存稳定性高的含银组合物及使用该组合物的形成银成分的基材，该含银组合物通过在120℃以下的低温且短时间的烧结或150℃以上且极短时间的烧结，能够形成导电性及贴附性优异的金属银膜或线等银成分。本发明的组合物是含有式(1)所示的银化合物(A)、式(2)所示的胺化合物(B)及硅烷偶联剂(C)的组合物，以特定比例含有银化合物(A)、胺化合物(B)及硅烷偶联剂(C)。[化学式1]其中，R¹：氢、‑(CY¹Y²)a‑CH₃或‑((CH₂)b‑O‑CHZ)c‑CH₃；R²：‑(CY¹Y²)d‑CH₃、‑((CH₂)e‑O‑CHZ)f‑CH₃；Y¹、Y²：氢或‑(CH₂)g‑CH₃；Z：氢、‑(CH₂)h‑CH₃；a：0～8；b：1～4；c：1～3；d：0～8；e：1～4；f：1～3；g：0～3；h：0～2。

主权项

一种含银组合物，其特征在于，其是含有式(1)所示的银化合物(A)、式(2)所示的胺化合物(B)及硅烷偶联剂(C)的组合物，其中，相对于总量为100质量％的银化合物(A)、胺化合物(B)及硅烷偶联剂(C)，含有10～50质量％的银化合物(A)、50～90质量％的胺化合物(B)及0.1～5质量％的硅烷偶联剂(C)；[化学式1]其中，式(2)中，R¹表示氢原子、‑(CY¹Y²)a‑CH₃或‑((CH₂)b‑O‑CHZ)c‑CH₃，R²表示‑(CY¹Y²)d‑CH₃或‑((CH₂)e‑O‑CHZ)f‑CH₃，这里Y¹与Y²各自独立地表示氢原子或‑(CH₂)g‑CH₃，Z表示氢原子或‑(CH₂)h‑CH₃，a为0～8的整数，b为1～4的整数，c为1～3的整数，d为0～8的整数，e为1～4的整数，f为1～3的整数，g为0～3的整数，h为0～2的整数。