[发明专利]流量传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201380030748.X 申请日: 2013-04-11
公开(公告)号: CN104364614B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 河野务;半泽惠二;德安升;田代忍 申请(专利权)人: 日立汽车系统株式会社
主分类号: G01F1/68 分类号: G01F1/68;H01L21/56
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 张敬强,严星铁
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种能够抑制每个流量传感器的性能偏差且实现性能提高的技术。例如,在与在形成在半导体芯片(CHP1)上的露出的流量检测部(FDU)上流动的气体的前进方向并行的任意剖面中,通过使不与配置在中央部附近的半导体芯片(CHP1)重合地配置在半导体芯片(CHP1)的外侧区域的突出销(EJPN)从下金属模具(BM)突起,使封闭体从下金属模具(BM)脱模。由此,根据本实施方式一,与将突出销(EJPN)配置在与半导体芯片(CHP1)重合的区域地进行封闭体从下金属模具(BM)的脱模的场合相比,能够减小脱模时施加在封闭体上的变形。
搜索关键词: 流量传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种流量传感器的制造方法,该流量传感器具有第一芯片搭载部以及配置在上述第一芯片搭载部上的第一半导体芯片,上述第一半导体芯片具有形成在第一半导体基板的主面上的流量检测部、以及通过使第一半导体芯片变薄形成在上述第一半导体基板的与上述主面相对的背面中、与上述流量检测部相对的区域的隔膜,在使形成在上述第一半导体芯片上的上述流量检测部露出的状态下,由包括树脂的封闭体密封上述第一半导体芯片的一部分,该流量传感器的制造方法的特征在于,具备:(a)准备具有上述第一芯片搭载部的基材的工序;(b)准备上述第一半导体芯片的工序;(c)在上述第一芯片搭载部上搭载上述第一半导体芯片的工序;(d)上述(c)工序后,在使形成在上述第一半导体芯片上的上述流量检测部露出的状态下,利用上述封闭体封闭上述第一半导体芯片的一部分的工序,上述(d)工序具有:(d1)准备上金属模具与下金属模具的工序;(d2)上述(d1)工序后,一边将上述上金属模具的一部分按压在上述第一半导体芯片的上表面,并且,在上述上金属模具与上述第一半导体芯片之间形成包围上述流量检测部的第一空间,一边利用上述上金属模具与上述下金属模具隔着第二空间夹入搭载了上述第一半导体芯片的上述基材的工序;(d3)上述(d2)工序后,使树脂流入上述第二空间的工序;(d4)上述(d3)工序后,使上述树脂固化并形成上述封闭体的工序;以及(d5)上述(d4)工序后,使上述封闭体从上述下金属模具脱模的工序,其特征在于,在(d5)工序中,当在与露出的上述流量检测部所检测的流动的气体的前进方向并行的任意剖面中观看时,通过使突出销从上述下金属模具突起,使上述封闭体从上述下金属模具脱模,其中,上述突出销在第一半导体芯片之外的外侧区域被插入到上述下金属模具中,使得在上述封闭体的厚度方向上不与上述第一半导体芯片重合。
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