[发明专利]用于可植入医疗设备的高电压单元的晶片级封装以及对应的制造方法有效
申请号: | 201380031166.3 | 申请日: | 2013-04-03 |
公开(公告)号: | CN104363957B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | M·R·布恩;M·阿斯卡林亚;R·E·克拉奇菲尔德;E·赫尔曼;M·S·里科塔;L·王 | 申请(专利权)人: | 美敦力公司 |
主分类号: | A61N1/39 | 分类号: | A61N1/39;H01L25/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 宋静娴 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于可植入心脏去纤颤器的高电压单元的多芯片模块化晶片级封装包括与其其他组件一起封装在单个经重构晶片的聚合物模复合中的一个或多个高电压(HV)组件芯片,其中所有互连区段优选地位于晶片的单个侧面上。为了电耦合位于该芯片的与晶片的互连侧相对的一侧上的每一HV芯片的接触表面,经重构晶片可包括导电聚合物通孔;或者,在封装所述HV芯片之前,线接合或导电聚合物层被形成以将上述接触表面耦合到对应的互连。在一些情况下,封装在该封装中的经重构晶片中的组件中的一个或多个是经重构芯片。 | ||
搜索关键词: | 用于 植入 医疗 设备 电压 单元 晶片 封装 以及 对应 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于可植入心脏去纤颤器的高电压单元的多芯片模块化晶片级封装,所述封装包括:高电压(HV)组件芯片,所述高电压组件芯片包括位于其第一侧的第一接触表面以及位于其第二侧的第二接触表面,所述高电压组件芯片的所述第二侧与所述高电压组件芯片的所述第一侧相对;通过聚合物模复合形成的经重构晶片,其中所述高电压组件芯片与所述多芯片模块化晶片级封装的其他芯片封在一起,使得每一芯片的第一侧与所述晶片的第一侧共面,并且其中形成所述经重构晶片的聚合物模复合封装所述高电压组件芯片和所述其他芯片,使得所述高电压组件芯片的第二侧被封装在所述聚合物模复合内并且与所述聚合物模复合直接接触;耦合到所述高电压组件芯片的所述第二接触表面并位于所述晶片的第一侧上的互连区段;以及在所述经重构晶片的第一侧上延伸的重分布层,所述重分布层包括多个导电路由迹线,所述导电路由迹线中的第一个电耦合到所述高电压组件芯片的所述第一接触表面且所述导电路由迹线中的第二个电耦合到所述互连区段。
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