[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置有效

专利信息
申请号: 201380031398.9 申请日: 2013-06-11
公开(公告)号: CN104620385B 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 藤井宣年;青柳健一 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/369
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开的目的是改善半导体装置例如其中层叠多个基板的具有三维结构的固态成像设备中的耐热性、扩散阻力和可靠性。再者,本公开涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及包括半导体装置的电子装置。本公开的半导体装置包括第一基板和第二基板,该第一基板包括第一层间绝缘膜和第一配线层,第一配线层具有从第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极,第二基板包括第二层间绝缘膜和第二配线层,第二配线层具有从第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极。在第一基板和第二基板之间的贴合表面上,第一连接电极和第二连接电极彼此接合,并且同时在层叠方向上彼此面对的第一层间绝缘膜的至少一部分和第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。
搜索关键词: 半导体装置 连接电极 配线层 层间绝缘膜 第二基板 第一基板 第一层 绝缘膜 彼此接合 电子装置 固态成像设备 耐热性 彼此面对 层叠方向 多个基板 三维结构 贴合表面 制造 扩散
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:第一基板,构造为包括第一层间绝缘膜和第一配线层,该第一配线层具有从该第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极;以及第二基板,构造为包括第二层间绝缘膜和第二配线层,该第二配线层具有从该第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极,其中该第二连接电极贴合在该第一基板上从而与该第一连接电极接合,并且在该贴合表面上,该第二连接电极与该第一连接电极接合,同时该第一层间绝缘膜的至少一部分和该第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380031398.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top