[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子装置有效
申请号: | 201380031398.9 | 申请日: | 2013-06-11 |
公开(公告)号: | CN104620385B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 藤井宣年;青柳健一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的目的是改善半导体装置例如其中层叠多个基板的具有三维结构的固态成像设备中的耐热性、扩散阻力和可靠性。再者,本公开涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及包括半导体装置的电子装置。本公开的半导体装置包括第一基板和第二基板,该第一基板包括第一层间绝缘膜和第一配线层,第一配线层具有从第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极,第二基板包括第二层间绝缘膜和第二配线层,第二配线层具有从第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极。在第一基板和第二基板之间的贴合表面上,第一连接电极和第二连接电极彼此接合,并且同时在层叠方向上彼此面对的第一层间绝缘膜的至少一部分和第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。 | ||
搜索关键词: | 半导体装置 连接电极 配线层 层间绝缘膜 第二基板 第一基板 第一层 绝缘膜 彼此接合 电子装置 固态成像设备 耐热性 彼此面对 层叠方向 多个基板 三维结构 贴合表面 制造 扩散 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:第一基板,构造为包括第一层间绝缘膜和第一配线层,该第一配线层具有从该第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极;以及第二基板,构造为包括第二层间绝缘膜和第二配线层,该第二配线层具有从该第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极,其中该第二连接电极贴合在该第一基板上从而与该第一连接电极接合,并且在该贴合表面上,该第二连接电极与该第一连接电极接合,同时该第一层间绝缘膜的至少一部分和该第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380031398.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的