[发明专利]用于将纯化多相二氧化碳输送至处理工具的系统有效
申请号: | 201380031446.4 | 申请日: | 2013-04-15 |
公开(公告)号: | CN104380438B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | S.班纳吉;W.R.格里斯蒂 | 申请(专利权)人: | 普莱克斯技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 谭佐晞;傅永霄 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用于按需求向基体供应超临界和亚临界相的二氧化碳以产生用于去除包含在基体中的污染物的创新和改善的清洁工序的二氧化碳供应方法和系统。该供应系统的在加工清洁工序期间以特定顺序在预定时间输送蒸气,液体和超临界二氧化碳的能力产生比常规二氧化碳清洁工序改善的去除来自基体的污染物。 | ||
搜索关键词: | 用于 纯化 多相 二氧化碳 输送 处理 工具 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于输送不同相的二氧化碳以产生用于从基体表面去除污染物的定制的清洁工序的方法,所述方法包括以下步骤:将纯气相二氧化碳引入以将室加压至低于饱和蒸气压力的第一压力;去除所述纯气相,并且随后引入处于超临界相的二氧化碳将所述室的压力从所述第一压力增加至高于所述第一压力的第二压力;将处于所述第二压力的溶剂流体引入包含所述基体的室中,所述溶剂流体包括混有助溶剂处于超临界相的二氧化碳;将污染物从所述基体表面传递至所述超临界二氧化碳相中以形成至少部分消耗的超临界相的二氧化碳;从所述室去除所述至少部分消耗的超临界二氧化碳相,并且同时将处于所述超临界相的没有助溶剂的新鲜的二氧化碳引入所述室中,以便稀释所述消耗的超临界二氧化碳并且基本阻止所述污染物沉淀在所述基体表面上;随后将处于液体相的二氧化碳引入室中;并且使所述二氧化碳液体相在所述基体表面上流动以冲刷并冲洗所述基体表面,并且从而去除所述污染物和残留地留在所述基体表面上的任何助溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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