[发明专利]热式流量计有效

专利信息
申请号: 201380031575.3 申请日: 2013-05-31
公开(公告)号: CN104380054B 公开(公告)日: 2017-08-22
发明(设计)人: 田代忍;半泽惠二;德安升;森野毅;土井良介;上之段晓 申请(专利权)人: 日立汽车系统株式会社
主分类号: G01F1/684 分类号: G01F1/684
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种在树脂制的壳体和罩利用激光熔接的情况下,也能够高精度地检测被测量气体的热式流量计。本发明的热式流量计(300)包括用于使从主通路(124)取入的被测量气体(30)流动的副通路;和在与副通路中流动的被测量气体(30)之间进行热传递来测量被测量气体(30)的流量的流量检测部(602)。凹槽(741)以包括熔接部(792)的副通路形成壁(390)的端面与罩(303)的背面的界面(792)的一部分位于凹槽(741)的壁面的方式形成。
搜索关键词: 流量计
【主权项】:
一种热式流量计,包括用于使从主通路取入的被测量气体流动的副通路,和在与该副通路中流动的被测量气体之间进行热传递来测量所述被测量气体的流量的流量检测部,其特征在于,包括:包括所述流量检测部,并且由第一树脂成形的电路封装体;形成构成所述副通路的一部分的副通路槽,以固定所述电路封装体的方式由第二树脂成形的树脂制的壳体;和通过覆盖所述副通路槽而成形所述副通路的树脂制的罩,所述壳体的形成副通路的副通路形成壁的端面与所述罩的背面通过激光熔接,在所述罩的背面形成有收纳槽部,所述收纳槽部用于收纳形成于所述壳体的所述副通路形成壁的端面上的凸条部,通过将所述凸条部收纳于所述收纳槽部,而在通过所述激光熔接的熔接部的副通路一侧的位置,形成沿着所述熔接部且与所述副通路连通的凹槽,所述凹槽至少包括从所述副通路的壁面起在沿所述副通路形成壁的厚度方向的第一方向上延伸的第一槽部,和与所述第一槽部连通,在与所述第一方向不同的、朝向所述罩的第二方向上延伸的第二槽部。
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