[发明专利]基于光谱敏感度及工艺变化的测量配方优化在审
申请号: | 201380031757.0 | 申请日: | 2013-05-07 |
公开(公告)号: | CN104395996A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/956 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种优化测量配方,其通过缩减实现满意测量结果所需的测量技术及机器参数范围集合加以确定。测量技术及机器参数范围集合的所述缩减是基于与初始测量模型相关联的可用工艺变化信息及光谱敏感度信息。所述工艺变化信息及所述光谱敏感度信息用以确定浮动参数较少且参数之间相关性较小的第二测量模型。使用所述第二约束模型及对应于缩减的测量技术及机器参数范围集合的测量数据集合执行后续测量分析。比较所述后续测量分析的结果与参考测量结果以确定估计参数值与从所述参考测量导出的参数值之间的差是否在预定阈值内。 | ||
搜索关键词: | 基于 光谱 敏感度 工艺 变化 测量 配方 优化 | ||
【主权项】:
一种方法,其包括:接收与使用测量技术及机器参数值集合执行的目标结构的测量相关联的第一数量的测量数据;确定包含第一参数集合的所述目标结构的第一测量模型;接收与所述目标结构相关联的一定数量的工艺变化数据;确定所述第一测量模型对所述第一参数集合的变化的光谱敏感度;将所述第一测量模型变换为包含第二参数集合的所述结构的第二测量模型,其中所述第一模型的所述变换是基于所述第一测量模型的所述光谱敏感度及所述一定数量的工艺变化数据,且其中所述第二参数集合不同于所述第一参数集合;确定与使用缩减的测量技术及机器参数值集合执行的所述目标结构的测量相关联的第二数量的测量数据;确定所述第二数量的测量数据对所述第二测量模型的回归的结果与所述目标结构的参考测量的结果之间的差;及将所述缩减的测量技术及机器参数值集合存储在存储器中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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