[发明专利]光源一体型光传感器有效
申请号: | 201380032199.X | 申请日: | 2013-06-20 |
公开(公告)号: | CN104396026B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 真崎伸一;井上修二 | 申请(专利权)人: | 青井电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 张敬强,严星铁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 光源一体型光传感器具备受光部,其设置在基板上的规定区域;发光部,其设置在基板上的与受光部不同的区域;第一透光构件,其在受光部上以覆盖该受光部的方式设置;第二透光构件,其在发光部上以覆盖该发光部的方式设置;遮光构件,其设置在第一透光构件与第二透光构件之间;以及散热构件,其分别与第一透光构件、第二透光构件及遮光构件接触。 | ||
搜索关键词: | 光源 体型 传感器 | ||
【主权项】:
一种光源一体型光传感器,其特征在于,具备:受光元件,其设置在基板上的规定区域,且被第一透光树脂密封;发光元件,其设置在上述基板上的与上述受光元件不同的区域,且被第二透光树脂密封;不透明树脂的第一遮光部,其覆盖上述第一透光树脂的周围;不透明树脂的第二遮光部,其覆盖上述第二透光树脂的周围;空间,其设置在上述第一遮光部及上述第二遮光部之间;第一遮光散热构件,其覆盖上述第一透光树脂的上面,且在上述受光元件上具有开口部;以及第二遮光散热构件,其覆盖上述第二透光树脂的上面,且在上述发光元件上具有开口部,上述第一遮光散热构件与上述第二遮光散热构件一体构成且覆盖上述空间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青井电子株式会社,未经青井电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380032199.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电池
- 下一篇:半导体元件收纳用封装件以及半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的