[发明专利]低温下立方和六方InN及其与AlN的合金的等离子体辅助原子层外延有效
| 申请号： | 201380032385.3 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104471676B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 倪瑞·尼泊尔;查尔斯·R·埃迪;纳迪姆拉·A·马哈迪克;赛义德·B·卡德里;迈克尔·J·梅尔 | 申请（专利权）人： | 美国海军部政府代表 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 谢顺星,刘成春 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了生长氮化铟(InN)材料的方法，其通过在低于300℃的温度下使用脉冲生长方法生长六方和/或立方InN。还描述了一种材料，其包含具有NaCl型晶相的面心立方晶格晶体结构的InN。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 立方 inn 及其 aln 合金 等离子体 辅助 原子 外延 | ||
【主权项】：
生长氮化铟(InN)材料的方法，包括在低于300℃的温度下使用脉冲生长方法生长六方和/或立方InN或AlxIn(1‑x)N，其中所述脉冲生长方法的特征在于等离子体辅助原子层外延，其涉及(1)氮前体和(2)铟前体或铝前体的交替脉冲以及吹扫以除去脉冲之间未反应的前体，其中所述生长方法包括所述铟前体的至少一个脉冲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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