[发明专利]用于对纹理化单晶硅晶片上的角锥进行光学测量的方法有效
| 申请号： | 201380032520.4 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104395735B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 如弟格·库比则克 | 申请（专利权）人： | 欧德富有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/47 | 分类号： | G01N21/47;G01B11/30 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;臧建明 |
| 地址： | 德国海森堡博*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于对表面纹理化的单晶硅晶片(1)上的角锥(2)进行光学测量的方法，其中通过使用至少一个光源(4)和至少一个光接收器(5)，在角锥上弯曲的光(7)被接收用于确定角锥的几何特征。在向前方向上散射的光(9)选择性地通过另一光接收器(8)测量并且确定硅晶片的表面通过角锥覆盖的程度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纹理 单晶硅 晶片 进行 光学 测量 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于对表面纹理化的单晶硅晶片上的角锥（2）进行光学测量的方法，使用至少一个光源（4）和至少一个光接收器（5、8），其特征在于，所述角锥（2）的边缘中的一个直接指向所述光源（4），所述光源（4）的光（3）垂直于这四个角锥边缘中的一个，且出于确定所述角锥（2）的几何特性的目的，借助于由在所述角锥（2）处的衍射产生的衍射图收集和评估在所述角锥（2）处衍射的光（7），所述角锥（2）的直接指向所述光源（4）的边缘及与其相对的另一个边缘落在参考平面上，所述至少一个光源（4）的光轴和/或所述至少一个光接收器（5、8）的光轴相对于所述参考平面角向地偏离至多10°。
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