[发明专利]用于改进有机残余物去除的具有低铜蚀刻速率的水性清洁溶液有效
| 申请号： | 201380032542.0 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN104395989A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 郑湘宁;卡尔·E·博格斯;刘俊;妮科尔·托马斯 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司;先进科材股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘慧;杨青 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了用于从上面具有化学机械抛光(CMP)后残余物和污染物的微电子器件上清洁所述残余物和污染物的清洁组合物和工艺。所述清洁组合物包括至少一种季碱、至少一种胺、至少一种腐蚀抑制剂和至少一种溶剂。所述组合物实现了CMP后残余物和污染物材料从微电子器件表面上的高效清洁而同时与阻挡层相容。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 有机 残余物 去除 具有 蚀刻 速率 水性 清洁 溶液 | ||
【主权项】：
一种从上面具有残余物和污染物的微电子器件去除所述残余物和污染物的方法，所述方法包括使所述微电子器件与清洁组合物接触足够长时间以从所述微电子器件至少部分地清洁所述残余物和污染物，其中所述清洁组合物包括至少一种季碱、至少一种胺、至少一种腐蚀抑制剂和至少一种溶剂，其中所述微电子器件包含降低铜向低k介电材料中的扩散的暴露的阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
