[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201380032575.5 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN104412364B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 梁日光;宋炳奎;金劲勋;金龙基;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H05H1/30 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据本发明的一个实施方式的基板处理装置包括腔室,其具有开放的上侧,所述腔室在所述腔室的一侧内具有允许基板进出的通道;腔室盖,其覆盖所述腔室的所述开放的上侧以提供在其中执行针对所述基板的处理的内部空间,所述腔室盖具有穿过所述腔室盖的顶壁的气体供应孔;上天线,其设置在所述腔室盖的上中央部分上,以在所述内部空间的中央部分内生成电场,所述上天线通过利用供应到所述内部空间中的源气体来生成等离子体;侧天线,其设置为围绕所述腔室盖的侧部,以在所述内部空间的边缘部分内生成电场,所述侧天线通过利用供应到所述内部空间中的所述源气体来生成等离子体;以及气体供应管,其连接至所述气体供应孔,以将所述源气体供应到所述内部空间中,其中,所述气体供应孔设置在所述上天线外侧。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,该基板处理装置包括:腔室,其具有开放的上侧,所述腔室在所述腔室的一侧内具有允许基板进出的通道;腔室盖,其覆盖所述腔室的所述开放的上侧以提供在其中执行针对所述基板的处理的内部空间,所述腔室盖具有穿过所述腔室盖的顶壁的气体供应孔;上天线,其设置在所述腔室盖的上中央部分上,以在所述内部空间的中央部分内生成电场,所述上天线通过利用供应到所述内部空间中的源气体来生成等离子体;侧天线,其设置为围绕所述腔室盖的侧部,以在所述内部空间的边缘部分内生成电场,所述侧天线通过利用供应到所述内部空间中的所述源气体来生成等离子体;气体供应管,其连接至所述气体供应孔,以将所述源气体供应到所述内部空间中;以及环形挡板,所述挡板紧密地附接至所述腔室盖的顶表面,以将所述源气体朝向所述基板扩散,其中,所述气体供应孔设置在所述上天线外侧,其中,所述挡板包括:开口,其被限定在所述挡板的中央以与所述上天线相对应;通道,其从所述挡板的一个表面凹陷以与所述顶表面相对;以及多个喷气孔,其与所述通道连通以喷出所述源气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造