[发明专利]薄层太阳能电池的层系统有效
| 申请号： | 201380032811.3 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104885205B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | J·帕尔姆;S·波尔纳;T·哈普;T·达利博尔;R·迪特米勒 | 申请（专利权）人： | 法国圣戈班玻璃厂 |
| 主分类号： | H01L21/36 | 分类号： | H01L21/36;H01L21/02;H01L31/032 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 杜荔南,胡莉莉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄层太阳能电池(100)和太阳板模块的层系统(1)，包括吸收层(4)，其含有硫族化合物半导体，和缓冲层(5)，其布置在吸收层(4)上并且含有富含卤素的ZnxIn1‑xSy，其中0.01≤x≤0.9和1≤y≤2，其中缓冲层(5)由与吸收层(4)接界的具有卤素材料量份额A1的第一层区域(5.1)和与第一层区域(5.1)接界的具有卤素材料量份额A2的第二层区域(5.2)组成，并且比例A1/A2≥2，并且第一层区域(5.1)的层厚(d1)小于等于缓冲层(5)的层厚(d)的50％。 | ||
| 搜索关键词： | 薄层 太阳能电池 系统 | ||
【主权项】：
薄层太阳能电池(100)的层系统(1)，包括：－吸收层(4)，其含有硫族化合物半导体，和－缓冲层(5)，其布置在吸收层(4)上并且含有富含卤素的ZnxIn1‑xSy，其中0.01≤x≤0.9和1≤y≤2，其中缓冲层(5)由与吸收层(4)接界的具有卤素材料量份额A1的第一层区域(5.1)和与第一层区域(5.1)接界的具有卤素材料量份额A2的第二层区域(5.2)组成，并且比例A1/A2≥2，并且第一层区域(5.1)的层厚(d1)小于等于缓冲层(5)的层厚(d)的50％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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