[发明专利]固体摄像装置

摘要

本申请的固体摄像装置具备电荷积蓄区域(104)，对由光电转换膜(114)光电转换的信号电荷进行积蓄；放大晶体管(108a)，将对应的像素(11)的电荷积蓄区域(104)中积蓄的信号电荷进行放大；接触插头(107)，由与电荷积蓄区域(104)电连接的半导体材料构成；以及布线(107a)，在接触插头(107)的上方，由半导体材料构成，接触插头(107)与电荷积蓄区域(104)电连接，接触插头(107)与放大晶体管(108a)的栅极电极经由布线(107a)而电连接。

主权项

一种固体摄像装置，具备：半导体衬底；多个像素，在所述半导体衬底上被配置成矩阵状；像素电极，被形成在所述像素内，且与相邻的所述像素电隔离；光电转换膜，被形成在所述像素电极上，通过光电转换，将光转换为信号电荷；电荷积蓄区域，被形成在所述像素内且与所述像素电极电连接，通过所述光电转换膜而被光电转换后的所述信号电荷被积蓄在该电荷积蓄区域；复位晶体管，对所述电荷积蓄区域进行复位；放大晶体管，被形成在所述像素内，对被积蓄在该像素的所述电荷积蓄区域的所述信号电荷进行放大；第一接触插头，由半导体材料构成；布线，在所述第一接触插头以及所述电荷积蓄区域的上方，由半导体材料构成；以及元件隔离区域，与所述电荷积蓄区域相邻，将所述复位晶体管和所述放大晶体管隔离；所述第一接触插头与所述电荷积蓄区域电连接，所述第一接触插头与所述放大晶体管的栅极电极经由所述布线电连接，所述布线被配置成，在平面视时覆盖所述电荷积蓄区域的至少一部分和所述元件隔离区域的一部分，所述布线和所述第一接触插头的连接面距所述半导体衬底表面的高度，比所述放大晶体管的栅极电极的底面距所述半导体衬底表面的高度高，所述布线和所述第一接触插头的连接面距所述半导体衬底表面的高度，比所述放大晶体管的栅极电极的上表面距所述半导体衬底表面的高度低。