[发明专利]用于电子系统的高电导率高频通孔有效
| 申请号： | 201380033429.4 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104396005B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | H-J.巴思;R.马恩科普夫;W.莫尔泽;H.戈斯纳;C.米勒 | 申请（专利权）人： | 英特尔IP公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨美灵;汤春龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述一种在高频具有导电性的穿透硅通孔。在一个示例中，通孔包括经过硅裸晶的至少一部分的通道。第一导电层具有第一电导率。第二导电层覆盖第一导电层的外表面，并且具有比第一电导率要高的第二电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 电导率 第一导电层 通孔 导电性 穿透硅通孔 第二导电层 电子系统 高电导率 裸晶 覆盖 | ||
【主权项】：
1.硅裸晶中将第一金属层连接到第二金属层的穿透硅通孔，所述穿透硅通孔包括：经过所述硅裸晶的至少一部分的通道；贯穿所述通孔的第一金属导电层，所述第一金属导电层具有外表面和第一电导率；以及覆盖所述第一金属导电层的所述外表面的第二金属导电层，所述第二金属导电层具有比所述第一电导率要高的第二电导率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
