[发明专利]用于类似铜铟亚盐酸太阳能电池的光伏器件的后接触结构

摘要

提供一种用于CIGS型光伏器件的后接触结构。根据示例性实施例，所述后接触结构包括光学匹配层和/或具有MoSe2的部分，厚度基本与一些光伏器件中使用的CIGS型吸收层中反射光的最大吸收值相对应。提供用于制备后接触结构的一些示例性方法，其中，MoSe2层和/或部分的厚度范围可被控制在相当于反射太阳能光的CIGS光吸收率的最大值内。

主权项

一种用于光伏器件的后接触结构，包括：基片；含有钼的第一导电后接触层，位于所述基片上；和含有氧化钼的基础种子层，直接形成于所述第一导电后接触层上，所述含有氧化钼的基础种子层的导电性小于所述含有钼的第一导电后接触层，其中，所述含有氧化钼的基础种子层的厚度范围从以下构成的组中被选定：5‑15nm、35‑45nm、60‑70nm、和90‑100nm，且其中，所述第一导电后接触层位于所述基片和所述基础种子层之间，其中，所述含有氧化钼的基础种子层在硒化过程中被转换成含有MoSe2的层，其厚度范围从以下构成的组中被选定：5‑15nm、35‑45nm、60‑70nm、和90‑100nm，其中，所述基础种子层的厚度与所述含有MoSe2的层的厚度对应。