[发明专利]用于电镀的CIGS光伏器件的后电极结构及制备其的方法有效

专利信息
申请号: 201380033692.3 申请日: 2013-03-19
公开(公告)号: CN104396022B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 阿列克谢·克拉斯诺夫;威廉·邓·波尔 申请(专利权)人: 葛迪恩实业公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 代理人: 刘培培,黎艳
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种用于CIGS型光伏器件的后接触结构。所述后接触结构包括界面种子层,由一个或多个层/子层构成,配置在基于钼的后接触/电极和含有CIGS的半导体吸收层之间。所述界面种子层可包括多个元素,来用于制备或帮助制备含有CIGS的半导体吸收层。在此公开的多种方法和界面种子层的组成,包括含有金属和/或基本金属的Cu‑In‑Ga的种子层、CIGS、和/或含有Cu、In、Ga的交替层的堆栈。此外还提供一种用于制备含有界面种子层的后接触结构的方法。
搜索关键词: 用于 电镀 cigs 器件 电极 结构 制备 方法
【主权项】:
一种制备光伏器件的方法,所述方法包括:将含有钼的导电后接触层形成在后基片上;在所述后基片和所述导电后接触层上溅射沉积界面种子层,所述界面种子层包含铜、铟、和镓;在所述后基片上形成半导体吸收薄膜,位于所述界面种子层上,其中,所述形成半导体吸收薄膜的步骤包括:溅射含有或主要由铜构成的层,并随后在所述含有或主要由铜构成的层上电镀含有铟和镓的薄膜,所述含有铟和镓的薄膜包括一个或多个层,所述界面种子层包括多个分别含有CIGS的层,且所述界面种子层被构造分级。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于葛迪恩实业公司,未经葛迪恩实业公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380033692.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code