[发明专利]用于电镀的CIGS光伏器件的后电极结构及制备其的方法有效
申请号: | 201380033692.3 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN104396022B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 阿列克谢·克拉斯诺夫;威廉·邓·波尔 | 申请(专利权)人: | 葛迪恩实业公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 刘培培,黎艳 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种用于CIGS型光伏器件的后接触结构。所述后接触结构包括界面种子层,由一个或多个层/子层构成,配置在基于钼的后接触/电极和含有CIGS的半导体吸收层之间。所述界面种子层可包括多个元素,来用于制备或帮助制备含有CIGS的半导体吸收层。在此公开的多种方法和界面种子层的组成,包括含有金属和/或基本金属的Cu‑In‑Ga的种子层、CIGS、和/或含有Cu、In、Ga的交替层的堆栈。此外还提供一种用于制备含有界面种子层的后接触结构的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 电镀 cigs 器件 电极 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种制备光伏器件的方法,所述方法包括:将含有钼的导电后接触层形成在后基片上;在所述后基片和所述导电后接触层上溅射沉积界面种子层,所述界面种子层包含铜、铟、和镓;在所述后基片上形成半导体吸收薄膜,位于所述界面种子层上,其中,所述形成半导体吸收薄膜的步骤包括:溅射含有或主要由铜构成的层,并随后在所述含有或主要由铜构成的层上电镀含有铟和镓的薄膜,所述含有铟和镓的薄膜包括一个或多个层,所述界面种子层包括多个分别含有CIGS的层,且所述界面种子层被构造分级。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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