[发明专利]具有数据保持浮栅电容器的硅化集成电路

摘要

一种集成电路中的模拟浮栅电极(2)以及制造它的方法，在其中俘获的电荷可以被长时间地存储。模拟浮栅电极(2)被形成在多晶硅栅层级中，并且包括用作晶体管(4)的栅电极、金属-多晶存储电容器(6)的极板以及多晶-有源区隧穿电容器(8n，8p)的极板的部分。由在顶层氮化硅下面的二氧化硅层组成的硅化物阻挡薄膜阻挡在电极(2)上形成硅化物包层，同时集成电路中的其他多晶硅结构，例如多晶硅-金属电容器(11)被硅化物外覆。在硅化之后，在剩余的多晶硅结构上方淀积电容器电介质，之后形成上金属极板。

主权项

一种在体区的半导体表面形成的集成电路，其包括用于模拟半导体集成电路的电可编程电容器结构，所述集成电路包括：第一多晶硅电极；在所述第一多晶硅电极上方设置的硅化物阻挡薄膜，所述硅化物阻挡薄膜包括在氮化硅层下面的二氧化硅层；在所述硅化物阻挡薄膜上方设置的电容器电介质薄膜，其与所述硅化物阻挡薄膜的所述氮化硅层直接接触；第一导电极板，其包括金属并且在导体层级中形成，所述第一导电极板设置在所述第一多晶硅电极的第一部分上方，所述电容器电介质薄膜在它们之间；第二多晶硅电极，其至少一部分外覆有通过直接反应形成的金属硅化物，并且所述第二多晶硅电极由与所述第一多晶硅电极相同的多晶硅层形成；以及第二导电极板，其包括金属并且在所述导体层级中形成，所述第二导电极板设置在所述第二多晶硅电极的外覆部分上方，所述电容器电介质薄膜在它们之间，所述电容器电介质薄膜与所述第二多晶硅电极的外覆部分直接接触。