[发明专利]用于供给多种气体的供气单元及其制造方法在审
| 申请号： | 201380034301.X | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104471677A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李裕进;延世薰;金东济 | 申请（专利权）人： | TGO科技株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于供给多种气体的供气单元。根据本发明的一实施例，提供一种供气单元，用于供给多种气体，其特征在于，包括外管以及位于所述外管内部的至少一个内管，供给至所述内管的第一工艺气体通过多个第一气体喷射口喷射至所述外管的外部，供给至所述外管的第二工艺气体通过多个第二气体喷射口喷射至所述外管的外部。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 供给 多种 气体 供气 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种供气单元，用于供给多种气体，其特征在于，包括外管以及位于所述外管内部的至少一个内管，供给至所述内管的第一工艺气体通过多个第一气体喷射口喷射至所述外管的外部，供给至所述外管的第二工艺气体通过多个第二气体喷射口喷射至所述外管的外部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
