[发明专利]太阳能电池和制造太阳能电池的方法在审
| 申请号： | 201380034356.0 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN104428903A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 权珍浩 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高伟;陆弋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种太阳能电池和一种制造太阳能电池的方法。该方法包括：在衬底上形成背电极层；穿过背电极层形成第一通孔；在背电极层上形成光吸收层；在光吸收层上形成缓冲层；以及穿过缓冲层和光吸收层形成第二通孔。在第一通孔和第二通孔之间的距离是大约40μm或者更大。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：在衬底上形成背电极层；穿过所述背电极层形成第一通孔；在所述背电极层上形成光吸收层；在所述光吸收层上形成缓冲层；以及穿过所述缓冲层和所述光吸收层形成第二通孔，其中，在所述第一通孔与所述第二通孔之间的间隔是大约40μm或者更大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
