[发明专利]晶体管以及晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201380034703.X | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104395992A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 荒木圣人;桥本正太郎;高尾将和 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/316;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种抑制在漏源电极间流动的电流的降低，栅极绝缘膜的绝缘破坏电压高的晶体管。晶体管(100)的特征在于，具备：半导体层(2)、形成在半导体层(2)上的栅极绝缘膜(7)、形成在栅极绝缘膜(7)上的栅电极(8)、在半导体层(2)上夹着栅电极(8)形成的源电极(5)以及漏电极(6)，在栅极绝缘膜(7)中包含的杂质的浓度，从栅极绝缘膜(7)的半导体层2侧的表面到栅极绝缘膜(7)的栅电极(8)侧的表面而减少。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，具备：半导体层；栅极绝缘膜，其形成在所述半导体层上；栅电极，其形成在所述栅极绝缘膜上；以及源电极以及漏电极，它们在所述半导体层上夹着所述栅电极而形成，在所述栅极绝缘膜中包含的杂质的浓度从所述栅极绝缘膜的所述半导体层侧的表面到所述栅极绝缘膜的所述栅电极侧的表面而减少。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
