[发明专利]制作薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 201380035135.5 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104685633B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | M·纳格;S·斯台德 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会;荷兰应用自然科学研究组织TNO;鲁汶天主教大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 一种用于制作底栅顶接触金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法，该方法包括：‑在基板上形成栅电极；‑提供覆盖栅电极的栅介电层；‑在栅介电层上沉积金属氧化物半导体层；‑在金属氧化物半导体层上沉积金属层；‑对所述金属层进行图案化以形成源极和漏极接触，其中对金属层进行图案化包括对该金属层进行干法蚀刻；以及然后对金属氧化物半导体层进行图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 图案化 金属氧化物半导体层 栅介电层 氧化物半导体薄膜 沉积金属氧化物 薄膜晶体管 沉积金属层 覆盖栅电极 半导体层 干法蚀刻 接触金属 漏极接触 栅电极 晶体管 底栅 基板 源极 制作 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作底栅顶接触金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法，该方法包括：‑在基板上形成栅电极；‑提供覆盖所述栅电极的栅介电层；‑在所述栅介电层上沉积金属氧化物半导体层；‑在所述金属氧化物半导体层上沉积金属层或金属层层叠；‑对所述金属层或金属层层叠进行图案化以形成源极和漏极接触，其中对所述金属层或金属层层叠进行图案化包括对所述金属层或金属层层叠进行干法蚀刻；以及‑然后对所述金属氧化物半导体层进行图案化，其中在进行干法蚀刻步骤以形成源极和漏极接触时，尚未对金属氧化物半导体层进行图案化。
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