[发明专利]用于光刻术的量测

摘要

一种光刻过程用于形成在横跨衬底的多个部位处分布且具有重叠的周期结构的多个目标结构(92，94)，所述重叠的周期结构具有横跨所述目标结构分布的多个不同的重叠偏置值。所述目标结构中的至少一些包括多个重叠的周期结构(例如光栅)，所述多个重叠的周期结构比所述多个不同的重叠偏置值少。不对称度测量针对于目标结构获得。所检测的不对称度用于确定光刻过程的参数。可以在校正底光栅不对称度的效应和使用横跨衬底的重叠误差的多参数模型的同时计算重叠模型参数，包括平移、放大和旋转。

主权项

一种测量光刻过程的参数的方法，所述方法包括步骤：(a)使用所述光刻过程以形成在横跨衬底的多个部位处分布且具有重叠的周期结构的多个目标结构，所述重叠的周期结构具有横跨所述目标结构分布的至少三个不同的重叠偏置值，所述目标结构中的至少一些包括多个重叠的周期结构，所述多个重叠的周期结构比所述至少三个不同的重叠偏置值少；(b)照射所述目标结构和检测在由所述目标结构散射的辐射中的不对称度；(c)使用所检测的不对称度来确定所述参数；其中，使用所检测的不对称度来确定所述参数的步骤(c)以以下假定来执行：对于由于所述周期结构中的一个或更多个内的特征不对称度造成的整体不对称度的贡献对于所有的重叠值是恒定的；其中使用所检测的不对称度来确定所述参数的步骤(c)包括使用在横跨衬底的不同部位处分布的并且具有三个或更多个不同的各个重叠偏置值的三个或更多个目标结构的所检测的不对称度、以通过使用所述三个不同的重叠偏置值的知识来确定所述参数。