[发明专利]锗‑锑‑碲化学机械抛光浆料有效
| 申请号： | 201380036245.3 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN104428386B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | M.斯滕德;G.怀特纳;C.W.南 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邢岳 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供适用于抛光含有锗‑锑‑碲(GST)合金的基板的化学机械抛光(CMP)组合物。本发明的CMP组合物为包含粒状研磨剂、水溶性表面活性剂、络合剂、及腐蚀抑制剂的含水浆料。基于该粒状研磨剂的ζ电位选择表面活性材料的离子特性(例如，阳离子型、阴离子型、或非离子型)。还公开了使用该组合物抛光含有GST合金的基板的CMP方法。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 浆料 | ||
【主权项】：
一种用于抛光锗‑锑‑碲(GST)合金的含水化学机械抛光(CMP)组合物，该组合物包含含水载体，该含水载体含有：(a)粒状研磨剂，其选自胶体二氧化硅研磨剂及二氧化铈研磨剂；(b)水溶性表面活性材料；(c)氨基酸腐蚀抑制剂，其中该氨基酸腐蚀抑制剂包括赖氨酸，该氨基酸腐蚀抑制剂以在0.01至2重量％范围内的浓度存在于该组合物中；及(d)络合剂，其中该络合剂包括膦酸化合物，该络合剂以在10至10,000ppm范围内的浓度存在于该组合物中；其中基于该粒状研磨剂的ζ电位选择该表面活性材料，使得当该研磨剂具有正ζ电位时，该表面活性材料由阳离子型材料组成，及当该粒状研磨剂具有负ζ电位时，该表面活性材料由阴离子型材料、非离子型材料、或其组合组成，其中，当该粒状研磨剂为二氧化铈时，该组合物具有在4至5范围内的pH，当该粒状研磨剂为胶体二氧化硅时，该组合物具有在2至3范围内的pH。
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