[发明专利]降低或者消除Ⅲ-氮化物结构中的纳米管缺陷有效
| 申请号： | 201380036760.1 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104412395B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | P.N.格里洛特;I.H.维德森;T.恩沙尼安;P.P.德布 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙之刚;景军平 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明的实施例包括布置在n型区与p型区之间的Ⅲ‑氮化物发光层、包括纳米管缺陷的Ⅲ‑氮化物层和布置在Ⅲ‑氮化物发光层与包括纳米管缺陷的Ⅲ‑氮化物层之间的纳米管终止层。纳米管在纳米管终止层中终止。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米管 氮化物发光层 氮化物层 终止层 氮化物结构 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：布置在n型区与p型区之间的Ⅲ‑氮化物发光层；以及掺杂有受主的Ⅲ‑氮化物层，所述受主具有随III‑氮化物层生长而以线性方式增加的浓度，掺杂有受主的III‑氮化物层定位成使得n型区布置在掺杂有受主的Ⅲ‑氮化物层与发光层之间，并且受主的浓度在更靠近发光层的掺杂有受主的III‑氮化物层的部分中比在更远离发光层的掺杂有受主的III‑氮化物层的部分中更高。
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