[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板及其制造方法、太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池有效
申请号: | 201380036883.5 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN104471715A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 足立修一郎;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;织田明博;早坂刚 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
本发明的钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物。在下述通式(I)中,R1分别独立地表示碳数1~8的烷基;n表示0~3的整数;X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基;R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1~8的烷基。 |
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搜索关键词: | 钝化 形成 组合 半导体 及其 制造 方法 太阳能电池 元件 以及 | ||
【主权项】:
一种钝化层形成用组合物,其包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物,
通式(I)中,R1分别独立地表示碳数1~8的烷基,n表示0~3的整数,X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基,R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1~8的烷基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的