[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板及其制造方法、太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201380036883.5 申请日: 2013-07-12
公开(公告)号: CN104471715A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 足立修一郎;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;织田明博;早坂刚 申请(专利权)人: 日立化成株式会社
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物。在下述通式(I)中,R1分别独立地表示碳数1~8的烷基;n表示0~3的整数;X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基;R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1~8的烷基。
搜索关键词: 钝化 形成 组合 半导体 及其 制造 方法 太阳能电池 元件 以及
【主权项】:
一种钝化层形成用组合物,其包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物,通式(I)中,R1分别独立地表示碳数1~8的烷基,n表示0~3的整数,X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基,R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1~8的烷基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立化成株式会社,未经日立化成株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380036883.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top